ON Semiconductor 1.5KE62ARL4G

工厂交货时间

1 Week

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

Case 41A-04

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Breakdown Voltage / V

58.9 V

Reverse Stand-off Voltage

53 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

41A-04

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1.5KE62ARL4G

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

62 V

Risk Rank

5.25

操作温度

-65 to 175 °C

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

Axial

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

附加功能

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

工作电源电压

53 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

58.9V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

17.7A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

85V

箝位电压

85 V

电压 - 反向断态（典型值）

53V

峰值脉冲电流

17.7 A

最大浪涌电流

17.7 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

无卤素

无卤素

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

53 V

电容@频率

-

反向击穿电压

58.9 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

单向通道数

1

击穿电压-最小值

58.9 V

最大箝位电压

85 V

击穿电压-最大值

65.1 V

最小击穿电压

58.9 V

高度

9.5 mm

直径

5.3 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅