ON Semiconductor 1.5SMC6.8AT3G

触点镀层

Tin

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

6.8 V

Number of Elements

1

Reverse Stand-off Voltage

5.8 V

Breakdown Voltage / V

6.45 V

Package Description

R-PDSO-C2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

403-03

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1.5SMC6.8AT3G

Power Dissipation (Max)

0.75 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

6.8 V

Risk Rank

3.95

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

附加功能

UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

额定功率

1.5 kW

技术

ZENER

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

深度

5.84 mm

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

143 A

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PDSO-C2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

工作电源电压

5.8 V

工作电压

3.5 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

功率耗散

4 W

电源线保护

无

最大反向漏电电流

5 µA

箝位电压

10.5 V

峰值脉冲电流

16.3 A

最大浪涌电流

16.3 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

无卤素

无卤素

测试电流

1 mA

Rep Pk反向电压-最大值

5.8 V

反向击穿电压

6.45 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

最大击穿电压

7.14 V

ESD保护

有

单向通道数

1

击穿电压-最小值

6.45 V

最大箝位电压

10.5 V

击穿电压-最大值

7.14 V

最小击穿电压

6.45 V

长度

6.86 mm

高度

2.26 mm

宽度

6.096 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅