1N5908G
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ON Semiconductor 1N5908G

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型号

1N5908G

utmel 编号

1807-1N5908G

商品类别

电路保护套件 - TVS 二极管

封装

DO-201AD, Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSORB? Transient Voltage Suppressor, 6.2 V, 1500 W Unidir, Axial Lead MOSORB 9.52x5.21mm, 25.4x0.97mm Pkg, Lead len/dia, 500-BLKBX

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1N5908G ON Semiconductor MOSORB? Transient Voltage Suppressor, 6.2 V, 1500 W Unidir, Axial Lead MOSORB 9.52x5.21mm, 25.4x0.97mm Pkg, Lead len/dia, 500-BLKBX

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1N5908G详情

ON Semiconductor 1N5908G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    DO-201AD, Axial

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    Axial

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    1N5908

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    O-PALF-W2

  • Package Style

    长式

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 41A-04

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    1N5908G

  • Power Dissipation (Max)

    5 W

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS INC

  • Risk Rank

    5.76

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    Mosorb™

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 类型

    Zener

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 应用

    通用型

  • 附加功能

    EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    AXIAL

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    O-PALF-W2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 电源线保护

  • 电压 - 击穿

    6V

  • 功率 - 脉冲峰值

    1500W (1.5kW)

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    -

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    8.5V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    5V

  • 单向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    5 V

  • 电容@频率

    -

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    1500 W

  • 击穿电压-最小值

    6 V

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技术文档: ON Semiconductor 1N5908G.

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