ON Semiconductor 1N6277AG

触点镀层

Tin

表面安装

NO

引脚数

2

质量

4.535924 g

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

18 V

Reverse Stand-off Voltage

15.3 V

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

18 V

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N6277AG

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Littelfuse Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

LITTELFUSE INC

Risk Rank

5.6

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

终端

Axial

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

附加功能

UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

1.5 kW

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

59.5 A

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

15.3 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

功率耗散

1.5 kW

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

最大反向漏电电流

5 µA

箝位电压

25.2 V

峰值脉冲电流

59.5 A

最大浪涌电流

59.5 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

无卤素

无卤素

测试电流

1 mA

Rep Pk反向电压-最大值

15.3 V

反向击穿电压

17.1 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

最大击穿电压

18.9 V

ESD保护

有

单向通道数

1

击穿电压-最小值

17.1 V

击穿电压-最大值

18.9 V

最小击穿电压

17.1 V

宽度

6.35 mm

高度

6.35 mm

长度

38.1 mm

直径

5.3 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅