ON Semiconductor 1N6303AG

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

190 V

Reverse Stand-off Voltage

171 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 41A-04

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N6303AG

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

200 V

Risk Rank

5.09

JESD-609代码

e3

终端

Axial

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

171 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1

泄漏电流

5 µA

二极管类型

跨压抑制二极管

功率耗散

5 W

箱体转运

ISOLATED

箝位电压

274 V

峰值脉冲电流

5.5 A

最大浪涌电流

5.5 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

测试电流

1 mA

Rep Pk反向电压-最大值

171 V

反向击穿电压

190 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

最大击穿电压

200 V

击穿电压-最小值

190 V

最大箝位电压

274 V

击穿电压-最大值

210 V

最小击穿电压

190 V

达到SVHC

无SVHC