ON Semiconductor 1PMT33AT3G

触点镀层

Tin

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

36.7 V

Reverse Stand-off Voltage

33 V

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE, 2 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

457-04

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Reference Voltage-Nom

33 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1PMT33AT3G

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.68

Part Package Code

DO-216AA

包装

卷带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

技术

ZENER

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

深度

2.05 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

S-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

工作电源电压

33 V

工作电压

33 V

极性

单向

配置

SINGLE

通道数量

1

泄漏电流

1 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

53.3 V

峰值脉冲电流

3.8 A

最大浪涌电流

3.8 A

峰值脉冲功率

1 kW

方向

单向

无卤素

无卤素

测试电流

1 mA

最大电压允差

5%

Rep Pk反向电压-最大值

33 V

JEDEC-95代码

DO-216AA

工作测试电流

1 mA

最大非代表峰值转速功率Dis

200 W

ESD保护

有

单向通道数

1

击穿电压-最小值

36.7 V

击穿电压-最大值

40.6 V

最小击穿电压

36.7 V

宽度

2.18 mm

高度

1.15 mm

长度

2.18 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅