ON Semiconductor 1PMT5934BT1G

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-216AA

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

6.2V

Power Dissipation (Max)

500mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

1

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

3.2W

电压 - 额定直流

6.2V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

1PMT5934

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

19Ohm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

1μA @ 18.2V

功率耗散

500mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 200mA

箱体转运

CATHODE

最大反向漏电电流

1μA

阻抗-最大

19Ohm

测试电流

15.6mA

参考电压

24V

齐纳电压

24V

最大电压允差

5%

电压允差

5%

ESD保护

有

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅