ON Semiconductor 2N6031G
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2N6031G
1807-2N6031G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
1最小包装量--
2N6031G详情
ON Semiconductor 2N6031G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
NO
引脚数
2
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
hFEMin
15
Manufacturer Lifecycle Status
OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Package Description
CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Manufacturer Package Code
1-07
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
200 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
1 MHz
Manufacturer Part Number
2N6031G
Package Shape
ROUND
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.17
Part Package Code
TO-3
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
200 W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
极性
PNP
配置
SINGLE
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
1 MHz
极性/通道类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
140 V
最大集电极电流
16 A
JEDEC-95代码
TO-204AA
集电极基极电压(VCBO)
140 V
最大耗散功率(Abs)
200 W
发射极基极电压 (VEBO)
7 V
集电极电流-最大值(IC)
16 A
最小直流增益(hFE)
4
集电极-发射器电压-最大值
140 V
无铅
无铅
2N6031G拓展信息
ON Semiconductor
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