ON Semiconductor 2N6508T
- 收藏
- 对比
2N6508T
1807-2N6508T
无类别的
--
大陆
立即发货

Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
1最小包装量--
2N6508T详情
ON Semiconductor 2N6508T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 221A-07
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N6508T
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.72
Part Package Code
TO-220AB
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
箱体转运
ANODE
JEDEC-95代码
TO-220AB
触发装置类型
SCR
重复峰值关态电压
600 V
重复峰值反向电压
600 V
均方根通态电流-最大值
25 A
直流栅极触发电流(最大)
30 mA
2N6508T拓展信息







哦! 它是空的。