ON Semiconductor 2N7000B

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

2N7000B

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Diodes Incorporated

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

5.56

Drain Current-Max (ID)

0.2 A

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-92

漏极-源极导通最大电阻

5 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

环境耗散-最大值

0.4 W