ON Semiconductor 2N7000RLRP
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2N7000RLRP
1807-2N7000RLRP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
1最小包装量--
2N7000RLRP详情
ON Semiconductor 2N7000RLRP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
2N7000
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 29-11
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N7000RLRP
Package Shape
ROUND
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5
Part Package Code
TO-92
Drain Current-Max (ID)
0.2 A
系列
-
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-92
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2 A
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.35 W
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
2N7000RLRP拓展信息
ON Semiconductor
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