ON Semiconductor 2N7002LT1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

115mA Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

40 ns

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

115mA

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

连续放电电流(ID)

115mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅