ON Semiconductor 2N7002WT3G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

310mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

280mW Tj

Turn Off Delay Time

55.8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

280mW

接通延迟时间

12.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

24.5pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.7nC @ 4.5V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

310mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准