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ON Semiconductor 2SA1239G
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2SA1239G详情
ON Semiconductor 2SA1239G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)
110 MHz
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
Risk Rank
5.58
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer Part Number
2SA1239G
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.4 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益（hFE）
280
集电极-发射器电压-最大值
120 V
VCEsat-最大值
0.5 V
集电极-基极电容-最大值
2 pF
环境耗散-最大值
0.4 W
2SA1239G拓展信息
ON Semiconductor
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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