2SB1135R
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ON Semiconductor 2SB1135R

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型号

2SB1135R

utmel 编号

1807-2SB1135R

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2Sb1135R, Single Bipolar Transistors /Onsemi 2SB1135R

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2SB1135R
2SB1135R ON Semiconductor 2Sb1135R, Single Bipolar Transistors /Onsemi 2SB1135R

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2SB1135R详情

ON Semiconductor 2SB1135R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 安装类型

    面板安装

  • 表面安装

    NO

  • 介电材料

    Polycyclohexylenedimethylene Terephthalate (PCT)

  • 外壳材料,完成

    不锈钢

  • Voltage, Rating

    -

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    DAMA

  • 厂商

    ITT Cannon, LLC

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    10 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2SB1135R

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.57

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C

  • 系列

    24308-Style, D*MAM

  • 终端

    Crimp

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    15

  • 端子表面处理

    Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

  • 颜色

    Black

  • 行数

    2

  • 子类别

    其他晶体管

  • 触点类型

    Signal

  • 额定电流

    7.5A

  • 入口保护

    -

  • Reach合规守则

    compliant

  • 触点表面处理

    Gold

  • 线规

    -

  • 配置

    Single

  • 法兰特性

    Cable Side (M3)

  • 连接器样式

    D-Sub

  • 触点形式

    Machined

  • 外壳尺寸,连接器布局

    2 (DA, A)

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 后退间距

    -

  • 最大耗散功率(Abs)

    30 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    7 A

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 特征

    -

  • 触点表面处理厚度

    50.0µin (1.27µm)

  • 材料可燃性等级

    UL94 V-0

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2SB1135R.

2SB1135R拓展信息

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