ON Semiconductor 2SB632KE
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2SB632KE
1807-2SB632KE
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126
1最小包装量--
2SB632KE详情
ON Semiconductor 2SB632KE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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触点镀层
Gold
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Terminate To
同轴电缆
Body Orientation
Straight
Termination Method
Solder
Contact Materials
Brass
Mounting
电缆安装
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
2SB632KE
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.5
Part Package Code
SIP
操作温度
-65 to 165 °C
ECCN 代码
EAR99
类型
BNC
端子表面处理
Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
性别
Plug
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
阻抗
50 Ohm
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-126
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
35 V
产品长度
28.2 mm
2SB632KE拓展信息







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