ON Semiconductor 2SB808-G

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2SB808-G

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SANYO ELECTRIC CO LTD

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Risk Rank

5.76

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

125 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.7 A

最小直流增益（hFE）

280

集电极-发射器电压-最大值

15 V