ON SEMICONDUCTOR 2SC2909R

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-PBCY-T3

配置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

转换频率

150MHz

最大耗散功率(Abs)

0.6W

集电极电流-最大值(IC)

0.07A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

160V

VCEsat-最大值

0.3 V

集电极-基极电容-最大值

2pF

环境耗散-最大值

0.6W