ON Semiconductor 2SD1913R
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2SD1913R
1807-2SD1913R
无类别的
144-LQFP
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2SD1913 - NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
1最小包装量--
2SD1913R详情
ON Semiconductor 2SD1913R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
144-LQFP
表面安装
NO
供应商器件包装
144-LQFP (20x20)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tray
Base Product Number
MB91016
厂商
Infineon Technologies
Data Converters
-
Product Status
Obsolete
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
2SD1913R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
SANYO Electric Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SANYO ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.84
Part Package Code
TO-220ML
操作温度
-
系列
-
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
振荡器类型
-
速度
-
内存大小
-
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
-
核心处理器
-
箱体转运
ISOLATED
周边设备
-
程序存储器类型
-
芯尺寸
-
程序内存大小
-
连接方式
-
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
EEPROM 大小
-
最大耗散功率(Abs)
20 W
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
60 V
2SD1913R拓展信息







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