ON Semiconductor 2SK3707

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 25W Tc

Turn Off Delay Time

185 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25W

接通延迟时间

19.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2150pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

20A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准