ON Semiconductor 2SK3748

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

360 ns

Power Dissipation (Max)

3W Ta 65W Tc

Number of Elements

1

已出版

2005

包装

Tray

操作温度

150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7 Ω @ 2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

75ns

漏源电压 (Vdss)

1500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

116 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

7Ohm

漏源击穿电压

1.5kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

RoHS状态

符合RoHS标准