ON Semiconductor 2SK4116LS

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 33W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

540m Ω @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

400V

Vgs（最大值）

±30V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12A

漏极-源极导通最大电阻

0.54Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38A

DS 击穿电压-最小值

400V

雪崩能量等级（Eas）

474 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准