ON Semiconductor 2SK4126

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 170W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tray

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

720m Ω @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15A

漏极-源极导通最大电阻

0.72Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

132 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准