ON Semiconductor 2SK4209

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 190W Tc

Turn Off Delay Time

260 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tray

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

27 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.08 Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 10V

上升时间

72ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

77 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

410 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准