ON Semiconductor 2SK669-AC

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

3-SIP

供应商器件包装

3-SPA

RoHS

Compliant

Package

Box

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA (Ta)

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

200mW (Ta)

Product Status

Obsolete

包装

Bulk

操作温度

125°C (TJ)

系列

-

电阻

10 Ω

最大功率耗散

200 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20Ohm @ 10mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15 pF @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

50 V

连续放电电流(ID)

100 mA

输入电容

15 pF

场效应管特性

-

漏源电阻

10 Ω

最大rds

20 Ω

无铅

无铅