3LN03M-TL-E
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ON Semiconductor 3LN03M-TL-E

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型号

3LN03M-TL-E

utmel 编号

1807-3LN03M-TL-E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,350MA I(D),SOT-323

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3LN03M-TL-E ON Semiconductor TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,350MA I(D),SOT-323

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3LN03M-TL-E详情

ON Semiconductor 3LN03M-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    ,

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    3LN03M-TL-E

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.74

  • JESD-609代码

    e6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 子类别

    FET 通用电源

  • Reach合规守则

    compliant

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    150 mW

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    350 mA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.35 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.15 W

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技术文档: ON Semiconductor 3LN03M-TL-E.

3LN03M-TL-E拓展信息

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