ON Semiconductor 4N31
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4N31
1807-4N31
光隔离器 - 晶体管,光电输出
6-DIP (0.300, 7.62mm)
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Transistor Output Optocouplers DIP-6 PHOTO DARL
--最小包装量--
4N31详情
ON Semiconductor 4N31重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
6-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
6
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2V
Current Transfer Ratio-Min
50% @ 10mA
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~100°C
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
CML, LVCMOS, LVTTL OR LVDS TO CML TRANSLATION ALSO POSSIBLE
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
4N31
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-G8
资历状况
不合格
电压-隔离度
5300Vrms
输出电压
30V
输出类型
带底座的达林顿
电源电压-最小值(Vsup)
3V
功率耗散
250mW
比特数
1
输入类型
DC
正向电流
80mA
输出特性
OPEN-COLLECTOR
每个通道的输出电流
150mA
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
150mA
输出极性
COMPLEMENTARY
反向击穿电压
3V
接口IC类型
计算机辅助翻译器
接通 / 关断时间(典型值)
5μs, 40μs (Max)
输出锁存器或寄存器
NONE
延迟-最大
0.75 ns
长度
3mm
宽度
3mm
RoHS状态
符合RoHS标准
4N31拓展信息










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