ON Semiconductor 4N40

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Hold(Ih)

1mA

Current-LED Trigger(Ift)(Max)

14mA

Number of Elements

1

Voltage-Off State

400V

Zero-Crossing Circuit

无

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

审批机构

UR

电压-隔离度

5300Vrms

输出类型

SCR

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.1V

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

23A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

92A

DS 击穿电压-最小值

400V

最大直流驱动电流（If）

60mA

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

235W

接通时间

50μs (Max)

最大开态电流（It （RMS））

300mA

静电dV/dt（最小）

500V/μs