ON Semiconductor 4N60L-TM3-T

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

IN-LINE

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

4 A

Risk Rank

5.56

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Part Package Code

TO-251

Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

4N60L-TM3-T

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

2.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W