ON Semiconductor 50C02SS-TL-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

hFEMin

300

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

200mW

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100mV

最大集电极电流

400mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 10mA, 100mA

最高频率

1MHz

频率转换

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

600μm

长度

1.4mm

宽度

800μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅