ON Semiconductor AP01N60H
- 收藏
- 对比
AP01N60H
1807-AP01N60H
无类别的
--
大陆
立即发货

AP01N60H datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
AP01N60H详情
ON Semiconductor AP01N60H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
4037 Alloy Steel
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
AP01N60H
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Advanced Power Electronics Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.68
Part Package Code
TO-252
Drain Current-Max (ID)
1.6 A
类型
Blind Threaded Inserts - MaxTite®
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
13 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
AP01N60H拓展信息







哦! 它是空的。