ON Semiconductor ATP301-TL-H
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ATP301-TL-H
1807-ATP301-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ATPAK (2 leads+tab)
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MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
1最小包装量--
ATP301-TL-H详情
ON Semiconductor ATP301-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
27 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
ATPAK (2 leads+tab)
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
28A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
70W Tc
Turn Off Delay Time
330 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
70W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
32 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
75m Ω @ 14A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4000pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
73nC @ 10V
上升时间
130ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
190 ns
连续放电电流(ID)
-28A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.075Ohm
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
54 mJ
高度
1.5mm
长度
6.5mm
宽度
7.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ATP301-TL-H拓展信息
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