ON Semiconductor ATP602
- 收藏
- 对比
ATP602
1807-ATP602
无类别的
--
大陆
立即发货

ATP602 datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
ATP602详情
ON Semiconductor ATP602重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
628-10-GH-P1-E1-S1
Approvals
CE;NSF;UL
Manufacturer
Dwyer Instruments
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
SANYO ELECTRIC CO LTD
Risk Rank
5.34
Drain Current-Max (ID)
5 A
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
电源电压
10~30 VDC
Reach合规守则
unknown
输出量
4~20 mA
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
准确性
1
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
温度范围
0 to 200 Degrees F
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5 A
漏极-源极导通最大电阻
2.7 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
15 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
74 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
70 W
最大压力
100
压力范围
0~100 psi
电气连接
Cable
知识产权评级
IP65
ATP602拓展信息







哦! 它是空的。