ON Semiconductor AU5517DR2

包装/外壳

SOIC

表面安装

YES

引脚数

16

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

2MHz

Operating Temperature (Max)

125°C

Operating Temperature (Min)

-40°C

Current - Supply (Nom)

2.6mA

Power Dissipation (Max)

1.125W

包装

卷带

已出版

2013

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

终止次数

16

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

包装方式

RAIL

电压 - 供电

15V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

2

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

电源

+-15V

温度等级

AUTOMOTIVE

通道数量

2

压摆率

50 V/μs

建筑学

TRANSCONDUCTANCE

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

共模拒绝率

80 dB

输入偏正电流

5μA

最大输入电压

-3V

每个通道的输出电流

650μA

输入失调电压(Vos)

5mV

负电源电压(Vsup)

-15V

统一增益 BW-（标准值）

2000 kHz

平均偏置电流-最大值 (IIB)

8μA

低偏移

NO

频率补偿

YES

双电源电压

22V

标称增益带宽积

2MHz

电压 - 供电 （最大值）

44V

电压 - 供电 （最小值）

4V

长度

9.9mm

座位高度(最大)

1.75mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅