ON Semiconductor AU5517DR2

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

包装/外壳

SOIC

表面安装

YES

引脚数

16

Power Dissipation (Max)

1.125W

包装

卷带

已出版

2013

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

终止次数

16

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125°C

最小工作温度

-40°C

包装方式

RAIL

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

2

电源电压

15V

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

16

资历状况

不合格

电源

+-15V

温度等级

AUTOMOTIVE

通道数量

2

最大电源电压

44V

最小电源电压

4V

电源电流

2.6mA

压摆率

50 V/μs

建筑学

TRANSCONDUCTANCE

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

共模拒绝率

80 dB

输入偏正电流

5μA

最大输入电压

-3V

每个通道的输出电流

650μA

输入失调电压(Vos)

5mV

增益带宽积

2MHz

负电源电压(Vsup)

-15V

统一增益 BW-（标准值）

2000 kHz

平均偏置电流-最大值 (IIB)

8μA

低偏移

NO

频率补偿

YES

双电源电压

22V

标称增益带宽积

2MHz

长度

9.9mm

座位高度(最大)

1.75mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅