ON Semiconductor BAV99F
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BAV99F
1807-BAV99F
无类别的
4-SMD, No Lead
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0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
1最小包装量--
BAV99F详情
ON Semiconductor BAV99F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package
Strip
厂商
SiTime
Product Status
活跃
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
BAV99F
Power Dissipation (Max)
0.25 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Forward Voltage-Max (VF)
0.715 V
Risk Rank
5.58
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SiT1602B
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
端子表面处理
哑光锡
附加功能
高速开关
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
研磨二极管
电压 - 供电
2.25V ~ 3.63V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
频率
6 MHz
频率稳定性
±25ppm
输出量
HCMOS, LVCMOS
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
功能
-
基本谐振器
MEMS
最大电流源
4.5mA
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
扩频带宽
-
输出电流-最大值
0.2 A
Rep Pk反向电压-最大值
85 V
最大非代表Pk前进电流
4.5 A
绝对牵引范围 (APR)
-
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
评级结果
-
BAV99F拓展信息







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