ON Semiconductor BC848B

底架

表面贴装

引脚数

88

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFEMin

200

RoHS

Non-Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

310 mW

极性

NPN

元素配置

Single

增益带宽积

300 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

100 mA

最高频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

1.25 mm

高度

900 µm

长度

2 mm