ON Semiconductor BC848CDXV6T5G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

2

hFEMin

270

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

32V

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC847CD

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Dual

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅