ON Semiconductor BC848G
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BC848G
1807-BC848G
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BC848G详情
ON Semiconductor BC848G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
150 V
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
300 MHz
Manufacturer Part Number
BC848G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Texas
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.55
容差
0.25 %
温度系数
25 ppm/°C
电阻
237 Ω
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
附加功能
低噪音
额定功率
250 mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-236AB
最小直流增益(hFE)
110
集电极-发射器电压-最大值
30 V
高度
650 µm
BC848G拓展信息







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