ON Semiconductor BC857A

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250 mV

hFEMin

125

RoHS

Non-Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

310 mW

极性

PNP

元素配置

Single

增益带宽积

250 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

-45 V

最大集电极电流

100 mA

集电极基极电压(VCBO)

-50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V