ON Semiconductor BC858CWT1
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BC858CWT1
1807-BC858CWT1
无类别的
4-SMD, No Lead
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BC858CWT1详情
ON Semiconductor BC858CWT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Product Status
活跃
厂商
EPSON
Base Product Number
SG-8101
Package
Tape & Reel (TR)
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BC858CWT1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Motorola Mobility LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
5
系列
SG-8101
操作温度
-40°C ~ 85°C
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
JESD-609代码
e0
类型
XO (Standard)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
频率
19.1958 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
JESD-30代码
R-PDSO-G3
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
资历状况
不合格
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
配置
SINGLE
扩频带宽
-
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
绝对牵引范围 (APR)
-
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
420
集电极-发射器电压-最大值
30 V
VCEsat-最大值
0.65 V
集电极-基极电容-最大值
4.5 pF
环境耗散-最大值
0.15 W
座位高度(最大)
0.051 (1.30mm)
评级结果
-
BC858CWT1拓展信息







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