ON Semiconductor BD436

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

hFEMin

40

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz

Manufacturer Part Number

BD436

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Continental Device India Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

CONTINENTAL DEVICE INDIA LTD

Risk Rank

4.51

Part Package Code

SIP

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

36 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

3 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

32 V

最大集电极电流

4 A

JEDEC-95代码

TO-126

集电极基极电压(VCBO)

32 V

最大耗散功率(Abs)

36 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

32 V