ON Semiconductor BD779
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BD779详情
ON Semiconductor BD779重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
20 MHz
Manufacturer Part Number
BD779
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
5.82
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-225AA
最大耗散功率(Abs)
15 W
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益(hFE)
750
集电极-发射器电压-最大值
80 V
环境耗散-最大值
15 W
BD779拓展信息








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