ON Semiconductor BMS4003

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 25W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

680pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.4nC @ 10V

上升时间

33ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

18A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

53 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准