ON Semiconductor BSS123_F169

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

厂商

onsemi

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA (Ta)

Base Product Number

BSS123

Package

Tape & Reel (TR)

Package Description

SOT-23, 3 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318-08

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

BSS123-F169

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.56

Drain Current-Max (ID)

0.17 A

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

无铅代码

有

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

73 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

10 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

场效应管特性

-