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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.339241
500
¥0.249443
1000
¥0.207871
2000
¥0.190706
5000
¥0.17823
10000
¥0.165794
15000
¥0.160346
50000
¥0.157666
ON Semiconductor BSS123LT7G
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BSS123LT7G
1807-BSS123LT7G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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NFET SOT23 100V 170MA 6.0
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSS123LT7G详情
ON Semiconductor BSS123LT7G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
225mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 100mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-236
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.17A
漏极-源极导通最大电阻
6Ohm
DS 击穿电压-最小值
100V
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSS123LT7G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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