BSS123LT7G
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ON Semiconductor BSS123LT7G

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型号

BSS123LT7G

utmel 编号

1807-BSS123LT7G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NFET SOT23 100V 170MA 6.0

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BSS123LT7G
BSS123LT7G ON Semiconductor NFET SOT23 100V 170MA 6.0

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BSS123LT7G详情

ON Semiconductor BSS123LT7G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    15μA

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    225mW Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6 Ω @ 100mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.6V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    20pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • JEDEC-95代码

    TO-236

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.17A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    6Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    100V

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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