ON Semiconductor BSS84LT1
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BSS84LT1
1807-BSS84LT1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
--最小包装量--
BSS84LT1详情
ON Semiconductor BSS84LT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
触点镀层
Lead, Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130mA Ta
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
16 ns
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-130mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
225mW
接通延迟时间
2.5 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 100mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
30pF @ 5V
上升时间
1ns
下降时间(典型值)
1 ns
连续放电电流(ID)
130mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
50V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BSS84LT1拓展信息
ON Semiconductor
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