ON Semiconductor BUV26
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BUV26
1807-BUV26
无类别的
TO-220-3
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20 A, 90 V NPN Bipolar Power Transistor, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE
--最小包装量--
BUV26详情
ON Semiconductor BUV26重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
1 Week
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-220AB
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
10 A
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
CASE 221A-09, TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
221A-09
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
BUV26
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.45
Part Package Code
TO-220AB
操作温度
175°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
85 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 1.2A, 12A
电压 - 集射极击穿(最大值)
90 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
85 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
90 V
BUV26拓展信息







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