ON Semiconductor BYW29-200A
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BYW29-200A
1807-BYW29-200A
无类别的
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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BYW29-200A详情
ON Semiconductor BYW29-200A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
750 mA
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BYW29-200A
Power Dissipation (Max)
18 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
STMicroelectronics
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Forward Voltage-Max (VF)
1.3 V
Risk Rank
5.5
操作温度
175°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
EFFICIENCY
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
研磨二极管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
输出电流-最大值
8 A
晶体管类型
NPN
相位的数量
1
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
最大集极截止电流
-
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
最大非代表Pk前进电流
80 A
频率转换
-
反向电流-最大值
10 µA
反向恢复时间-最大值
0.035 µs
BYW29-200A拓展信息







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