'bzx79b30'
9结果- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 容差 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 阻抗 | 元素配置 | 速度 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 功率耗散 | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 最大反向漏电电流 | 工作温度 - 结点 | 阻抗-最大 | 测试电流 | 参考电压 | 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值) | 平均整流电流(Io) | 正向电压 | 电压 - 齐纳(标准值)(Vz) | 齐纳电压 | 产品类别 | 最大电压允差 | 峰值反向电流 | JEDEC-95代码 | 工作测试电流 | 电容@Vr, F | 电压允差 | ESD保护 | 齐纳电流 | 动态阻抗-最大值 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 直径 | 长度 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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BZX79-B30 | NXP USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | SILICON | 2 | GLASS | -65 °C | NXP USA Inc. | 30 | 30 V | 200 °C | 有 | BZX79-B30 | 0.5 W | ROUND | Nexperia | 1 | 活跃 | NEXPERIA | 5.36 | Bulk | 活跃 | O-LALF-W2 | 长式 | 1 | * | e3 | EAR99 | Tin (Sn) | 8541.10.00.50 | ZENER | AXIAL | WIRE | 260 | compliant | O-LALF-W2 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 泽纳电极 | ISOLATED | 2% | DO-35 | 2 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX79B30 | Taiwan Semiconductor | 数据表 | 41 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | DO-35-2 | PEI-Genesis | 30 V | Details | Bulk | 活跃 | 80 Ohms | 500 mW | + 175 C | 0.005291 oz | - 55 C | 10000 | 台湾半导体 | 台湾半导体 | Reel | * | Diodes & Rectifiers | Single | 2 mA | 齐纳二极管 | 2 % | 21 mA | 齐纳二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX79-B30133 | NXP | 数据表 | 43885 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Stud Mount | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-5 (DO-203AB) | 微芯片技术 | 活跃 | 80 Ohms | Bulk | -65°C ~ 200°C | - | ±2% | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard | 25 µA @ 150 V | 1.25 V @ 200 A | 400 mW | -65°C ~ 200°C | 150 V | 70A | 30 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX79B30 R0G | Taiwan Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | DO-35-2 | NO | 500 mW | + 155 C | 0.005291 oz | - 55 C | 10000 | 通孔 | BZX79B30 | 台湾半导体 | 台湾半导体 | 30 V | 30 V | 200 °C | 有 | BZX79B30R0G | 0.5 W | 1 | 活跃 | TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD | 5.74 | Non-Compliant | 80 Ohms | 切割胶带 | BZX79B | EAR99 | 8541.10.00.50 | Diodes & Rectifiers | compliant | Single | 泽纳电极 | 2 mA | 齐纳二极管 | 2% | 2 mA | 2 % | 21 mA | 80 Ω | 1.5 V | 齐纳二极管 | 2.28 mm | 5.08 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B30,113 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | 26 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | Tin | 通孔 | 通孔 | DO-204AH, DO-35, Axial | 2 | SILICON | 1 | -65°C~200°C | Tape & Reel (TR) | ±2% | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | 400mW | WIRE | 260 | 30 | 2 | IEC-60134 | UNIDIRECTIONAL | 80Ohm | Single | 泽纳电极 | 50nA @ 21V | 500mW | 900mV @ 10mA | ISOLATED | 50nA | 80Ohm | 2mA | 30V | 30V | 2% | 2% | 无 | 250mA | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX79B30 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 通孔 | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-35 | -55°C~175°C TJ | Tape & Box (TB) | ±2% | 活跃 | 1 (Unlimited) | 21mA @ 50mV | 1.5V @ 100mA | 500mW | 80Ohms | 30V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B30,143 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | 2035 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | Tin | 通孔 | 通孔 | DO-204AH, DO-35, Axial | 2 | SILICON | 1 | -65°C~200°C | Tape & Box (TB) | ±2% | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | 400mW | WIRE | 260 | 30 | 2 | IEC-60134 | UNIDIRECTIONAL | 80Ohm | Single | 泽纳电极 | 50nA @ 21V | 500mW | 900mV @ 10mA | ISOLATED | 50nA | 80Ohm | 2mA | 30V | 30V | 2% | 2% | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B30,133 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | 7695 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | Tin | 通孔 | 通孔 | DO-204AH, DO-35, Axial | 2 | SILICON | 1 | -65°C~200°C | Tape & Box (TB) | 2009 | ±2% | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 8541.10.00.50 | 400mW | WIRE | 260 | 30 | 2 | 30V | UNIDIRECTIONAL | 80Ohm | Single | 泽纳电极 | 50nA @ 21V | 500mW | 900mV @ 10mA | ISOLATED | 50nA | 80Ohm | 2mA | 30V | 900mV | 30V | 2% | 50nA | 2% | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX79-B30,113 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-204AH, DO-35, Axial | ALF2 | NXP USA Inc. | 80 Ohms | 活跃 | Bulk | -65°C ~ 200°C | - | ±2% | 50 nA @ 21 V | 900 mV @ 10 mA | 400 mW | 30 V |
BZX79-B30
NXP USA Inc.
分类:Diodes - Zener - Single
BZX79B30
Taiwan Semiconductor
分类:Diodes - Zener - Single
0.913994
BZX79-B30133
NXP
分类:Diodes - Zener - Single
0.596345
BZX79B30 R0G
Taiwan Semiconductor
分类:Diodes - Zener - Single
BZX79-B30,113
Nexperia USA Inc.
分类:Diodes - Zener - Single
0.488701
BZX79B30 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
分类:Diodes - Zener - Single
BZX79-B30,143
Nexperia USA Inc.
分类:Diodes - Zener - Single
1.207372
BZX79-B30,133
Nexperia USA Inc.
分类:Diodes - Zener - Single
1.362792
BZX79-B30,113
NXP
分类:Diodes - Zener - Single


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