BZX85C3V6RL
BZX85C3V6RL

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor BZX85C3V6RL

  • 收藏
  • 对比

型号

BZX85C3V6RL

utmel 编号

1807-BZX85C3V6RL

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BZX85C3V6RL datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BZX85C3V6RL
BZX85C3V6RL ON Semiconductor

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BZX85C3V6RL详情

ON Semiconductor BZX85C3V6RL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 房屋材料

    Polyamide (PA46), Nylon 4/6, Glass Filled

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • 位置或引脚数量(网格)

    24 (2 x 12)

  • 触点材料 - 配套

    铍铜

  • 触点材料 - 柱子

    Brass

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Package Description

    O-LALF-W2

  • Package Style

    长式

  • Package Body Material

    GLASS

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Reference Voltage-Nom

    3.6 V

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BZX85C3V6RL

  • Power Dissipation (Max)

    1 W

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    5.72

  • 操作温度

    -55°C ~ 105°C

  • 系列

    EJECT-A-DIP™

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    活跃

  • 终端

    Wire Wrap

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    DIP, 0.6 (15.24mm) Row Spacing

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    电压基准二极管

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    AXIAL

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    3A

  • 间距 - 配套

    0.100 (2.54mm)

  • JESD-30代码

    O-LALF-W2

  • 资历状况

    不合格

  • 触点表面处理 - 柱子

    Tin

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 触点电阻

    --

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    泽纳电极

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 最大电压允差

    5.56%

  • JEDEC-95代码

    DO-41

  • 工作测试电流

    60 mA

  • 端子柱长度

    0.040 (1.02mm)

  • 间距--柱子

    0.100 (2.54mm)

  • 反向电流-最大值

    30 µA

  • 动态阻抗-最大值

    500 Ω

  • 膝阻抗-最大

    500 Ω

  • 特征

    封闭框架

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    10.0µin (0.25µm)

  • 触点表面处理厚度 - 柱子

    200.0µin (5.08µm)

  • 材料可燃性等级

    UL94 V-0

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor BZX85C3V6RL.

BZX85C3V6RL拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS